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SAM7S Series [DATASHEET]
6175M–ATARM–26-Oct-12
20.2.5
Device Operations
Several commands on the Flash memory are available. These commands are summarized in Table 20-3 on page
126. Each command is driven by the programmer through the parallel interface running several read/write hand-
shaking sequences.
When a new command is executed, the previous one is automatically achieved. Thus, chaining a read command
after a write automatically flushes the load buffer in the Flash.
In the following tables, 21-6 through 21-18
DATA[15:0] pertains to SAM7S512/256/128/64/321/161
DATA[7:0] pertains to SAM7S32/16
20.2.5.1
Flash Read Command
This command is used to read the contents of the Flash memory. The read command can start at any valid
address in the memory plane and is optimized for consecutive reads. Read handshaking can be chained; an inter-
nal address buffer is automatically increased.
Table 20-6.
Read Command
Step
Handshake Sequence
MODE[3:0]
DATA[15:0]
1
Write handshaking
CMDE
READ
2
Write handshaking
ADDR0
Memory Address LSB
3
Write handshaking
ADDR1
Memory Address
4
Read handshaking
DATA
*Memory Address++
5
Read handshaking
DATA
*Memory Address++
...
n
Write handshaking
ADDR0
Memory Address LSB
n+1
Write handshaking
ADDR1
Memory Address
n+2
Read handshaking
DATA
*Memory Address++
n+3
Read handshaking
DATA
*Memory Address++
...
Table 20-7.
Read Command
Step
Handshake Sequence
MODE[3:0]
DATA[7:0]
1
Write handshaking
CMDE
READ
2
Write handshaking
ADDR0
Memory Address LSB
3
Write handshaking
ADDR1
Memory Address
4
Write handshaking
ADDR2
Memory Address
5
Write handshaking
ADDR3
Memory Address
6
Read handshaking
DATA
*Memory Address++
7
Read handshaking
DATA
*Memory Address++
...
n
Write handshaking
ADDR0
Memory Address LSB
n+1
Write handshaking
ADDR1
Memory Address
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